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Growth of single crystals of B₂₈ at high pressures and high temperatures

Titelangaben

Zarechnaya, Evgeniya ; Dubrovinskaia, Natalia ; Dubrovinsky, Leonid ; Filinchuk, Yaroslav ; Chernyshov, Dmitry ; Dmitriev, Vladimir:
Growth of single crystals of B₂₈ at high pressures and high temperatures.
In: Journal of Crystal Growth. Bd. 312 (2010) Heft 22 . - S. 3388-3394.
ISSN 0022-0248
DOI: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.04.057

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Projektfinanzierung: Deutsche Forschungsgemeinschaft

Abstract

A method of the high-pressure high-temperature synthesis of single crystals of orthorhombic high-pressure boron B₂₈ from metal solutions is presented. The method is based on the high-pressure multi-anvil technique. The feasibility of single-crystal growth was demonstrated in a number of experiments conducted at various pressure–temperature conditions with various precursors including β-boron of 99.99 purity and various metals (Cu, Au, and Pt) used as fluxes and capsule materials. It was found that after dissolution in metals at high pressures and high temperatures, boron crystallizes in the form of single crystals at low temperature. The process is accompanied by chemical reactions resulting in the formation of borides. The maximum length of the B₂₈ crystals achieved is ∼100 μm.

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Publikationsform: Artikel in einer Zeitschrift
Begutachteter Beitrag: Ja
Keywords: B2; Semiconducting materials
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Mathematik, Physik und Informatik > Fachgruppe Materialwissenschaften > Lehrstuhl Kristallographie
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Fakultäten > Fakultät für Mathematik, Physik und Informatik > Fachgruppe Materialwissenschaften > Professur Materialphysik und Technologie bei extremen Bedingungen > Professur Materialphysik und Technologie bei extremen Bedingungen - Univ.-Prof. Dr. Natalia Doubrovinckaia
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Eingestellt am: 07 Aug 2015 10:53
Letzte Änderung: 30 Jun 2022 14:17
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/17617