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Entwicklung eines Simulationsmodells in PLECS zur Analyse des Schaltverhaltens von Siliziumkarbid MOSFETs

Titelangaben

Bormann, Patrick:
Entwicklung eines Simulationsmodells in PLECS zur Analyse des Schaltverhaltens von Siliziumkarbid MOSFETs.
2017
(Masterarbeit, 2017, Universität Bayreuth, Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Lehrstuhl für Mechatronik)

Weitere Angaben

Publikationsform: Master-, Magister-, Diplom- oder Zulassungsarbeit (Masterarbeit)
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik
Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 01 Aug 2017 13:14
Letzte Änderung: 01 Aug 2017 13:14
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/39019