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A novel gate drive concept to eliminate Parasitic Turn-on of SiC MOSFETs in low inductance power modules

Titelangaben

März, Andreas ; Bertelshofer, Teresa ; Bakran, Mark-M.:
A novel gate drive concept to eliminate Parasitic Turn-on of SiC MOSFETs in low inductance power modules.
2017
Veranstaltung: PCIM Europe 2017 , 16.-18.05.2017 , Nürnberg, Deutschland.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Paper )

Abstract

In this paper a new gate drive concept for low inductance SiC MOSFET power modules is presented. Experimental results show that the posed 3-level turn-off strategy will prevent parasitic turn-on (PTO) under fast switching operation. This will significantly reduce turn-on and reverse turn-off losses of SiC MOSFEts as well as reduce the overvoltage of the bodydiode at turn-off.

Weitere Angaben

Publikationsform: Veranstaltungsbeitrag (Paper)
Begutachteter Beitrag: Ja
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik
Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 26 Sep 2017 06:18
Letzte Änderung: 26 Sep 2017 06:18
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/39747