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Comparison of the Surge Current Ruggedness between the Body Diode of SiC MOSFETs and Si Diodes for IGBT

Titelangaben

Hofstetter, Patrick ; Bakran, Mark-M.:
Comparison of the Surge Current Ruggedness between the Body Diode of SiC MOSFETs and Si Diodes for IGBT.
2018
Veranstaltung: CIPS 2018 , 20.03.-22.03.2018 , Stuttgart.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Paper )

Abstract

The aim of this paper is to derive a statement, whether body diodes of future SiC MOSFETs will achieve similar I2t values
as freewheeling diodes currently used in IGBT modules. In the first part, a short experimental study will be shown, where two 1200V SiC MOSFETs of different manufacturers are surge current tested under different conditions, like different surge current durations, temperatures, Vgs voltages and multiple stresses. The second part deals with the scaling of the measurements to the surge current capability of typical IGBT modules for traction converters.

Weitere Angaben

Publikationsform: Veranstaltungsbeitrag (Paper)
Begutachteter Beitrag: Ja
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran
Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien
Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > ZET - Zentrum für Energietechnik
Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik
Profilfelder
Profilfelder > Advanced Fields
Profilfelder > Emerging Fields
Forschungseinrichtungen
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 13 Nov 2018 08:19
Letzte Änderung: 13 Nov 2018 08:19
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/46295