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Surge Current Simulation in a Half Bridge using a Thermal Model

Titelangaben

Hohmann, Fabian ; Bakran, Mark-M.:
Surge Current Simulation in a Half Bridge using a Thermal Model.
2018
Veranstaltung: EPE 2018 : 20th European Conference on Power Electronics an Applications , 17.09.-21.09.2018 , Riga, Lettland.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Paper )

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Abstract

In this paper an IGBT half bridge with an antiparallel press-pack diode is examined for MMC use. Stateof-
the-art half bridges use a bypass thyristor in order to protect the lower diode during a DC-short. This
paper investigates prediction methods to calculate the stress of diode 2. Furthermore, it deals with the
possibility to substitute the bypass thyristor with a press-pack diode (PP-diode) to enhance to use of the
equipped semiconductor area.

Weitere Angaben

Publikationsform: Veranstaltungsbeitrag (Paper)
Begutachteter Beitrag: Ja
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran
Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien
Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > ZET - Zentrum für Energietechnik
Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik
Profilfelder
Profilfelder > Advanced Fields
Profilfelder > Emerging Fields
Forschungseinrichtungen
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 13 Nov 2018 08:34
Letzte Änderung: 13 Nov 2018 08:34
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/46298