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Applying the 2D-Short Circuit Detection Method to SiC MOSFETs including an advanced Soft Turn Off

Titelangaben

Hofstetter, Patrick ; Hain, Stefan ; Bakran, Mark-M.:
Applying the 2D-Short Circuit Detection Method to SiC MOSFETs including an advanced Soft Turn Off.
2018
Veranstaltung: PCIM Europe 2018 , 05.06.-07.06.2018 , Nürnberg, Deutschland.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Paper )

Abstract

To address the problem of small short circuit withstand
times of SiC MOSFETs, this paper presents a
short circuit protection, which detects the fault close
to the earliest time possible and turns off the device
safely. For the detection, the 2D-short circuit detection
method [1, 2] was adapted to SiC MOSFETs.
As SiC MOSFETs have to be turned off softly, a
turn-off strategy is shown which is able to turn the
device off during a short circuit type 1 and a short
circuit type 2 in an optimized way.

Weitere Angaben

Publikationsform: Veranstaltungsbeitrag (Paper)
Begutachteter Beitrag: Ja
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran
Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien
Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > ZET - Zentrum für Energietechnik
Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik
Profilfelder
Profilfelder > Advanced Fields
Profilfelder > Emerging Fields
Forschungseinrichtungen
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 13 Nov 2018 09:58
Letzte Änderung: 13 Nov 2018 09:58
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/46307