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Untersuchung zur Steigerung der Leistungsdichte von einphasig galvanisch getrennten Resonanzkonvertern durch den Einsatz von SiC-MOSFETs

Titelangaben

Deichsel, Maximilian:
Untersuchung zur Steigerung der Leistungsdichte von einphasig galvanisch getrennten Resonanzkonvertern durch den Einsatz von SiC-MOSFETs.
Bayreuth , 2018
(Masterarbeit, 2018 , Universität Bayreuth, Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Lehrstuhl für Mechatronik)

Weitere Angaben

Publikationsform: Master-, Magister-, Diplom- oder Zulassungsarbeit (Masterarbeit)
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran
Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien
Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > ZET - Zentrum für Energietechnik
Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik
Profilfelder
Profilfelder > Advanced Fields
Profilfelder > Emerging Fields
Forschungseinrichtungen
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 06 Dec 2018 15:59
Letzte Änderung: 06 Dec 2018 15:59
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/46553