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Limits of SiC MOSFETs' Parameter Deviations for Safe Parallel Operation

Titelangaben

Bertelshofer, Teresa ; März, Andreas ; Bakran, Mark-M.:
Limits of SiC MOSFETs' Parameter Deviations for Safe Parallel Operation.
2018
Veranstaltung: 20th European Conference on Power Electronics an Applications , 17-21 Sept. 2018 , Riga, Lettland.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Paper )

Abstract

This paper presents a numerical method combined with a device simulation model used to analyse the
parallel connection of several SiC MOSFET dies. Parallel connection is necessary to achieve the desired
current carrying capability of main inverters for xEV-drives. With this method, the effect of asymmetries
within the chips’ on-state resistance coupled with asymmetries in the threshold voltage is investigated.
The investigation result quantifies, to what extent the threshold voltage and the on-state resistance of the
chips can vary at the same time, when the output power of the inverter should only be derated by 5% at
most and no single chip in the inverter should be overheated. To achieve this derating limit, the impact of
the positive temperature coefficient (PTC) of the output characteristic and the thermal coupling between
the paralleled chips is examined.

Weitere Angaben

Publikationsform: Veranstaltungsbeitrag (Paper)
Begutachteter Beitrag: Ja
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran
Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien
Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > ZET - Zentrum für Energietechnik
Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik
Profilfelder
Profilfelder > Advanced Fields
Profilfelder > Emerging Fields
Forschungseinrichtungen
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 21 Mai 2019 05:59
Letzte Änderung: 09 Jan 2023 12:46
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/49040