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Nanocrystal formation in SiC by Ge ion implantation and subsequent thermal annealing

Titelangaben

Schubert, Christian ; Kaiser, Ute ; Hedler, A. ; Wesch, Werner ; Gorelik, Tatiana ; Glatzel, Uwe ; Kräußlich, J. ; Wunderlich, B. ; Hess, G. ; Goetz, K.:
Nanocrystal formation in SiC by Ge ion implantation and subsequent thermal annealing.
In: Journal of Applied Physics. Bd. 91 (2002) Heft 3 . - S. 1520-1524.
ISSN 1089-7550
DOI: 10.1063/1.1430539

Weitere Angaben

Publikationsform: Artikel in einer Zeitschrift
Begutachteter Beitrag: Ja
Institutionen der Universität: Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Metallische Werkstoffe
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Metallische Werkstoffe > Lehrstuhl Metallische Werkstoffe - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Uwe Glatzel
Profilfelder
Profilfelder > Advanced Fields
Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien
Forschungseinrichtungen
Forschungseinrichtungen > Forschungszentren
Forschungseinrichtungen > Forschungszentren > Bayreuther Materialzentrum - BayMAT
Titel an der UBT entstanden: Nein
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften
600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 09 Okt 2015 10:16
Letzte Änderung: 09 Okt 2015 10:16
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/5202