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Mitigating Drain Source Voltage Oscillation for SiC Power MOSFETs in order to reduce Electromagnetic Interference

Titelangaben

Hofstetter, Patrick ; Bakran, Mark-M.:
Mitigating Drain Source Voltage Oscillation for SiC Power MOSFETs in order to reduce Electromagnetic Interference.
2019
Veranstaltung: 21th European Conference on Power Electronics and Applications , 02.09.-06.09.2019 , Genua, Italien.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Paper )

Abstract

In this paper various approaches are shown to mitigate drain source voltage oscillation at SiC MOSFET turn-off. At first, a MOSFET behavior model is presented and confirmed with measurement results.
Based on this model, the suitability of oscillation mitigation methods is evaluated regarding effect, timing requirement and switching losses.

Weitere Angaben

Publikationsform: Veranstaltungsbeitrag (Paper)
Begutachteter Beitrag: Ja
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran
Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien
Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > ZET - Zentrum für Energietechnik
Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik
Profilfelder
Profilfelder > Advanced Fields
Profilfelder > Emerging Fields
Forschungseinrichtungen
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 11 Feb 2020 07:51
Letzte Änderung: 11 Feb 2020 07:51
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/54317