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Challenges of paralleling 3.3 kV SiC MOSFET modules in HVDC converter submodules

Titelangaben

Bergmann, Lukas ; Wahle, Marcus ; Bakran, Mark-M.:
Challenges of paralleling 3.3 kV SiC MOSFET modules in HVDC converter submodules.
2022
Veranstaltung: PCIM Europe 2022 , 10.05.-12.05.2022 , Nürnberg.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Paper )

Abstract

This work presents the challenges of paralleling 3300 V Silicon carbide MOSFET power modules. Based on a static device characterization, the static current derating depending on conduction variation and parallel number of modules is calculated. Furthermore, an investigation on dynamic imbalance of switching losses due to device parameter variation is realized based on a parametrized simulation model. Finally, a comparison of three different approaches of external module gate loop designs is presented to find the best solution.

Weitere Angaben

Publikationsform: Veranstaltungsbeitrag (Paper)
Begutachteter Beitrag: Ja
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran
Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien
Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > ZET - Zentrum für Energietechnik
Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik
Profilfelder
Profilfelder > Advanced Fields
Profilfelder > Emerging Fields
Forschungseinrichtungen
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 29 Jul 2022 06:51
Letzte Änderung: 29 Jul 2022 06:54
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/71261