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Requirements to change from IGBT to Full SiC modules in an on-board railway power supply

Titelangaben

März, Andreas ; Horff, Roman ; Helsper, Martin ; Bakran, Mark-M.:
Requirements to change from IGBT to Full SiC modules in an on-board railway power supply.
2015
Veranstaltung: EPE'2015 ECCE, 17th European Conference on Power Electronics and Applications , 08.-10.09.2015 , Genf, Schweiz.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Poster )

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Abstract

In this paper the difference in switching characteristic and switching losses together with the effects of parasitic elements between silicon and silicon-carbide devices on the loss distribution are reviewed. A comparison between a standard silicon IGBT module and a Full SiC MOSFET module is being made on the basis of equal voltage overshoot and maximum switching speed of both devices. Potentials and limitations between the both devices are discussed for the use of Full SiC power module in on-board power supplies for railway application.

Weitere Angaben

Publikationsform: Veranstaltungsbeitrag (Poster)
Begutachteter Beitrag: Ja
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran
Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie
Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik
Profilfelder
Profilfelder > Emerging Fields
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 02 Nov 2015 08:08
Letzte Änderung: 15 Dec 2015 14:01
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/21207