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Ovsyannikov, Sergey V. ; Karkin, Alexander E. ; Morozova, Natalia V. ; Shchennikov, Vladimir V. ; Bykova, Elena ; Abakumov, Artem M. ; Tsirlin, Alexander A. ; Glazyrin, Konstantin ; Dubrovinsky, Leonid:
A Hard Oxide Semiconductor with A Direct and Narrow Bandgap and Switchable p–n Electrical Conduction.
In: Advanced Materials.
Bd. 26
(2014)
Heft 48
.
- S. 8185-8191.
ISSN 1521-4095
DOI: https://doi.org/10.1002/adma.201403304
Volltext
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Weitere Angaben
| Publikationsform: | Artikel in einer Zeitschrift |
|---|---|
| Begutachteter Beitrag: | Ja |
| Keywords: | transition metal oxides; direct-bandgap semiconductors; electronic transport; bandgap engineering |
| Institutionen der Universität: | Forschungseinrichtungen > Zentrale wissenschaftliche Einrichtungen > Bayerisches Forschungsinstitut für Experimentelle Geochemie und Geophysik - BGI Forschungseinrichtungen Forschungseinrichtungen > Zentrale wissenschaftliche Einrichtungen |
| Titel an der UBT entstanden: | Ja |
| Themengebiete aus DDC: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 550 Geowissenschaften, Geologie |
| Eingestellt am: | 19 Aug 2016 08:00 |
| Letzte Änderung: | 19 Dec 2023 14:07 |
| URI: | https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/34191 |