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März, Andreas ; Bertelshofer, Teresa ; Helsper, Martin ; Bakran, Mark-M.:
Comparison of SiC MOSFET gate-drive concepts to suppress parasitic turn-on in low inductance power modules.
2017
Veranstaltung: EPE 2017 ECCE Europe : 19th European Conference on Power Electronics and Applications
, 11.09.2017 - 14.09.2017
, Warschau, Polen.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung
,
Paper
)
Abstract
In this paper different gate drive concepts to eliminate parasitic turn-on for SiC MOSFETs are discussed. Experimental results show a potential for lowering switching losses of SiC MOSFETs during fast switching operation, reduction of turn-off overvoltage across the bodydiode. Finally increased requirement on the gate drive unit are discussed.
Weitere Angaben
| Publikationsform: | Veranstaltungsbeitrag (Paper) |
|---|---|
| Begutachteter Beitrag: | Ja |
| Institutionen der Universität: | Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik Fakultäten Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften |
| Titel an der UBT entstanden: | Ja |
| Themengebiete aus DDC: | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften |
| Eingestellt am: | 26 Sep 2017 06:11 |
| Letzte Änderung: | 09 Jan 2023 12:44 |
| URI: | https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/39740 |