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Comparison of SiC MOSFET gate-drive concepts to suppress parasitic turn-on in low inductance power modules

Titelangaben

März, Andreas ; Bertelshofer, Teresa ; Helsper, Martin ; Bakran, Mark-M.:
Comparison of SiC MOSFET gate-drive concepts to suppress parasitic turn-on in low inductance power modules.
2017
Veranstaltung: EPE 2017 ECCE Europe : 19th European Conference on Power Electronics and Applications , 11.09.2017 - 14.09.2017 , Warschau, Polen.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Paper )

Abstract

In this paper different gate drive concepts to eliminate parasitic turn-on for SiC MOSFETs are discussed. Experimental results show a potential for lowering switching losses of SiC MOSFETs during fast switching operation, reduction of turn-off overvoltage across the bodydiode. Finally increased requirement on the gate drive unit are discussed.

Weitere Angaben

Publikationsform: Veranstaltungsbeitrag (Paper)
Begutachteter Beitrag: Ja
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik
Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 26 Sep 2017 06:11
Letzte Änderung: 26 Sep 2017 06:11
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/39740