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Bertelshofer, Teresa ; März, Andreas ; Bakran, Mark-M.:
Design Rules to Adapt the Desaturation Detection for SiC MOSFET Modules.
2017
Veranstaltung: PCIM Europe 2017
, 16.-18.05.2017
, Nürnberg, Deutschland.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung
,
Paper
)
Abstract
This paper presents on overcurrent and short-circuit (SC) detection method for high current SiC MOSFET modules adapting the existing desaturation detection (Uce,desat method) which is state-of-the-art for IGBTs. These adjustmentes include sparate detection paths for hard switching faults (HSF), faults under load (FUL) and overcurrents (OC). It includes preventive gate clamping and soft shut down as well. Test results show a reliable detection and shut down of overcurrents, HSF and FUL shilw not influencing the normal switching behaciour of the device.
Weitere Angaben
| Publikationsform: | Veranstaltungsbeitrag (Paper) |
|---|---|
| Begutachteter Beitrag: | Ja |
| Institutionen der Universität: | Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik Fakultäten Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften |
| Titel an der UBT entstanden: | Ja |
| Themengebiete aus DDC: | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften |
| Eingestellt am: | 26 Sep 2017 06:13 |
| Letzte Änderung: | 09 Jan 2023 12:44 |
| URI: | https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/39742 |