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Design Rules to Adapt the Desaturation Detection for SiC MOSFET Modules

Titelangaben

Bertelshofer, Teresa ; März, Andreas ; Bakran, Mark-M.:
Design Rules to Adapt the Desaturation Detection for SiC MOSFET Modules.
2017
Veranstaltung: PCIM Europe 2017 , 16.-18.05.2017 , Nürnberg, Deutschland.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Paper )

Abstract

This paper presents on overcurrent and short-circuit (SC) detection method for high current SiC MOSFET modules adapting the existing desaturation detection (Uce,desat method) which is state-of-the-art for IGBTs. These adjustmentes include sparate detection paths for hard switching faults (HSF), faults under load (FUL) and overcurrents (OC). It includes preventive gate clamping and soft shut down as well. Test results show a reliable detection and shut down of overcurrents, HSF and FUL shilw not influencing the normal switching behaciour of the device.

Weitere Angaben

Publikationsform: Veranstaltungsbeitrag (Paper)
Begutachteter Beitrag: Ja
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik
Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 26 Sep 2017 06:13
Letzte Änderung: 26 Sep 2017 06:13
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/39742