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Improving the performance of SiC trench MOSFETs under hard switching operation

Titelangaben

März, Andreas ; Bertelshofer, Teresa ; Bakran, Mark-M.:
Improving the performance of SiC trench MOSFETs under hard switching operation.
2017
Veranstaltung: 2017 IEEE 12th International Conference on Power Electronics and Drive Systems (PEDS) , 12.12.-15.12.2017 , Honolulu, HI, USA.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Paper )

Abstract

In this paper the switching performance of the latest SiC trench MOSFET and the behavior of its body diode are analyzed with regard to different stray inductances and dead time. The results show potential and challenges for switching loss reduction as well as effectiveness of different driving methods.

Weitere Angaben

Publikationsform: Veranstaltungsbeitrag (Paper)
Begutachteter Beitrag: Ja
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran
Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 16 Jan 2018 08:15
Letzte Änderung: 16 Jan 2018 08:15
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/41728