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Bertelshofer, Teresa ; März, Andreas ; Bakran, Mark-M.:
A Temperature Compensated Overcurrent and Short-Circuit Detection Method for SiC MOSFET Modules.
2017
Veranstaltung: EPE 2017 ECCE Europe : 19th European Conference on Power Electronics and Applications
, 11.09.2017 - 14.09.2017
, Warschau, Polen.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung
,
Paper
)
Abstract
This paper presents an overcurrent and short-circuit (SC) detection method for high current SiC MOSFET modules. It adapts the existing desaturation detection (=Uce,desat method) known from IGBTs. These adjustments inculde separate detection paths for hard switching faults (HSF) and fault under load (FUL) as well as overcurrent. The necessity of a junction temperature compensation for detecting each type of fault (HSF, FUL or overcurrent = OC) is discussed.
Weitere Angaben
| Publikationsform: | Veranstaltungsbeitrag (Paper) |
|---|---|
| Begutachteter Beitrag: | Ja |
| Institutionen der Universität: | Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran Fakultäten Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften |
| Titel an der UBT entstanden: | Ja |
| Themengebiete aus DDC: | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften |
| Eingestellt am: | 16 Jan 2018 08:16 |
| Letzte Änderung: | 09 Jan 2023 12:45 |
| URI: | https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/41733 |