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A Temperature Compensated Overcurrent and Short-Circuit Detection Method for SiC MOSFET Modules

Titelangaben

Bertelshofer, Teresa ; März, Andreas ; Bakran, Mark-M.:
A Temperature Compensated Overcurrent and Short-Circuit Detection Method for SiC MOSFET Modules.
2017
Veranstaltung: EPE 2017 ECCE Europe : 19th European Conference on Power Electronics and Applications , 11.09.2017 - 14.09.2017 , Warschau, Polen.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Paper )

Abstract

This paper presents an overcurrent and short-circuit (SC) detection method for high current SiC MOSFET modules. It adapts the existing desaturation detection (=Uce,desat method) known from IGBTs. These adjustments inculde separate detection paths for hard switching faults (HSF) and fault under load (FUL) as well as overcurrent. The necessity of a junction temperature compensation for detecting each type of fault (HSF, FUL or overcurrent = OC) is discussed.

Weitere Angaben

Publikationsform: Veranstaltungsbeitrag (Paper)
Begutachteter Beitrag: Ja
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran
Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 16 Jan 2018 08:16
Letzte Änderung: 16 Jan 2018 08:16
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/41733