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Comparison of the Layered Semiconductors GaSe, GaS, and GaSe1-xSx by Raman and Photoluminescence Spectroscopy

Titelangaben

Pérez León, Carmen ; Kador, Lothar ; Allakhverdiev, Kerim R. ; Baykara, Tarik ; Kaya, Ali A.:
Comparison of the Layered Semiconductors GaSe, GaS, and GaSe1-xSx by Raman and Photoluminescence Spectroscopy.
In: Journal of Applied Physics. Bd. 98 (2005) Heft 10 . - S. 103103.
ISSN 1089-7550
DOI: https://doi.org/10.1063/1.2135411

Weitere Angaben

Publikationsform: Artikel in einer Zeitschrift
Begutachteter Beitrag: Ja
Institutionen der Universität: Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Mathematik, Physik und Informatik
Fakultäten > Fakultät für Mathematik, Physik und Informatik > Physikalisches Institut
Forschungseinrichtungen > Forschungszentren > Bayreuther Institut für Makromolekülforschung - BIMF
Forschungseinrichtungen
Forschungseinrichtungen > Forschungszentren
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 500 Naturwissenschaften und Mathematik
500 Naturwissenschaften und Mathematik > 500 Naturwissenschaften
500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Eingestellt am: 27 Mär 2015 10:53
Letzte Änderung: 27 Mär 2015 10:53
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/8676