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Corrigendum: Chemical Activity of Thin Oxide Layers : Strong Interactions with the Support Yield a New Thin-Film Phase of ZnO

Titelangaben

Schott, Vadim ; Oberhofer, Harald ; Birkner, Alexander ; Xu, Mingchun ; Wang, Yuemin ; Muhler, Martin ; Reuter, Karsten ; Wöll, Christof:
Corrigendum: Chemical Activity of Thin Oxide Layers : Strong Interactions with the Support Yield a New Thin-Film Phase of ZnO.
In: Angewandte Chemie International Edition. Bd. 56 (2017) Heft 41 . - S. 12399.
ISSN 1521-3773
DOI: https://doi.org/10.1002/anie.201708864

Weitere Angaben

Publikationsform: Artikel in einer Zeitschrift
Begutachteter Beitrag: Ja
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Mathematik, Physik und Informatik > Physikalisches Institut
Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Mathematik, Physik und Informatik
Fakultäten > Fakultät für Mathematik, Physik und Informatik > Physikalisches Institut > Lehrstuhl für Theoretische Physik VII - Computational Materials Design (BayBatt) > Lehrstuhl für Theoretische Physik VII - Computational Materials Design (BayBatt) - Univ.-Prof. Dr. Harald Oberhofer
Fakultäten > Fakultät für Mathematik, Physik und Informatik > Physikalisches Institut > Lehrstuhl für Theoretische Physik VII - Computational Materials Design (BayBatt)
Titel an der UBT entstanden: Nein
Themengebiete aus DDC: 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
500 Naturwissenschaften und Mathematik > 540 Chemie
Eingestellt am: 26 Jan 2022 07:53
Letzte Änderung: 02 Nov 2023 14:10
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/68483