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Horff, Roman ; März, Andreas ; Lechler, M. ; Bakran, Mark-M.:
Optimised switching of a SiC MOSFET in a VSI using the body diode and additional Schottky barrier diode.
2015
Veranstaltung: EPE'15 ECCE Europe 17th European Conference on Power Electronics and Applications
, 08.-10.09.2015
, Genf, Schweiz.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung
,
Paper
)
Abstract
In this paper the switching behaviour of SiC MOSFETs is regarded with respect to the influence of the free-wheeling diode. A double pulse test was performed using two silicon carbide Schottky barrier diodes (SBD) of different rated currents and the intrinsic body diode of a silicon carbide MOSFET. The switching losses of these three combinations are analysed to find the best combination of MOSFET and antiparallel diode for the application in a voltage source inverter (VSI). The body diode was found to dissipate not negligible switching losses. The effect of a silicon carbide Schottky barrier diode in high current SiC power modules is shown. Calculating the power capability, it is shown that the MOSFET inverter without SBD has the higher power density.
Weitere Angaben
| Publikationsform: | Veranstaltungsbeitrag (Paper) |
|---|---|
| Begutachteter Beitrag: | Ja |
| Institutionen der Universität: | Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie Fakultäten Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik Profilfelder Profilfelder > Advanced Fields Profilfelder > Emerging Fields |
| Titel an der UBT entstanden: | Ja |
| Themengebiete aus DDC: | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften |
| Eingestellt am: | 16 Dec 2015 08:23 |
| Letzte Änderung: | 27 Jun 2024 12:50 |
| URI: | https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/28978 |