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Benchmarking of SiC JFET and SiC MOSFET Modules for the Application in Medium Power Traction Converters

Titelangaben

März, Andreas ; Horff, Roman ; Bertelshofer, Teresa ; Bakran, Mark-M. ; Helsper, Martin:
Benchmarking of SiC JFET and SiC MOSFET Modules for the Application in Medium Power Traction Converters.
2016
Veranstaltung: PCIM Europe 2016 , 10.-12.05.2016 , Nürnberg.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Vortrag )

Abstract

In this paper the behaviour of a SiC JFET power module is being analysed and the impact of its bodydiode behaviour on the performance of the SiC JFET is compared to a SiC MOSFET and a state of the art IGBT. Second it will be discussed how a low inductance DC-Link affect the dynamic losses of the JFET and whether the SiC JFET can benefit from a low inductance setup.

Weitere Angaben

Publikationsform: Veranstaltungsbeitrag (Vortrag)
Begutachteter Beitrag: Ja
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran
Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien
Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > ZET - Zentrum für Energietechnik
Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik
Profilfelder
Profilfelder > Advanced Fields
Profilfelder > Emerging Fields
Forschungseinrichtungen
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 19 Mai 2016 09:59
Letzte Änderung: 09 Jan 2023 12:41
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/32400