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Bertelshofer, Teresa ; Horff, Roman ; März, Andreas ; Bakran, Mark-M.:
A Performance Comparison of a 650 V Si IGBT and SiC MOSFET Inverter under Automotive Conditions.
2016
Veranstaltung: PCIM Europe 2016
, 10.-12.05.2016
, Nürnberg.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung
,
Vortrag
)
Abstract
This paper researches the performance benefits of replacing the Si IGBTs and Si PIN-diodes of a 650 V/ 100 kW 3-phase power module for automotive drives with SiC MOSFETs. For this purpose the maximum current density of the devices and their losses during a load cycle are evaluated. It will be shown, how much the chip area and the power losses, especially under partial load, can be reduced by substituting the Si power semiconductors with the SiC MOSFETs.
Weitere Angaben
| Publikationsform: | Veranstaltungsbeitrag (Vortrag) |
|---|---|
| Begutachteter Beitrag: | Ja |
| Institutionen der Universität: | Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > ZET - Zentrum für Energietechnik Fakultäten Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik Profilfelder Profilfelder > Advanced Fields Profilfelder > Emerging Fields Forschungseinrichtungen Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen |
| Titel an der UBT entstanden: | Ja |
| Themengebiete aus DDC: | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften |
| Eingestellt am: | 19 Mai 2016 10:03 |
| Letzte Änderung: | 09 Jan 2023 12:40 |
| URI: | https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/32402 |