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Current Measurement and Gate-Resistance Mismatch in Paralleled Phases of High Power SiC MOSFET Modules

Titelangaben

Horff, Roman ; Bertelshofer, Teresa ; März, Andreas ; Bakran, Mark-M.:
Current Measurement and Gate-Resistance Mismatch in Paralleled Phases of High Power SiC MOSFET Modules.
2016
Veranstaltung: PCIM Europe 2016 , 10.-12.05.2016 , Nürnberg.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Poster )

Abstract

This paper deals with the problems of current measurement in paralleled phases. A solution based on low inductive shunts is proposed. The influence of gate-resistance mismatch on the switching behaviour and the resulting switching losses are analysed for high power SiC MOSFET modules.

Weitere Angaben

Publikationsform: Veranstaltungsbeitrag (Poster)
Begutachteter Beitrag: Ja
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran
Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien
Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > ZET - Zentrum für Energietechnik
Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik
Profilfelder
Profilfelder > Advanced Fields
Profilfelder > Emerging Fields
Forschungseinrichtungen
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 19 Mai 2016 11:20
Letzte Änderung: 09 Jan 2023 12:41
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/32407