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Current mismatch in paralleled phases of high power SiC modules due to threshold voltage unsymmetry and different gate-driver concepts

Titelangaben

Horff, Roman ; Bertelshofer, Teresa ; März, Andreas ; Bakran, Mark-M.:
Current mismatch in paralleled phases of high power SiC modules due to threshold voltage unsymmetry and different gate-driver concepts.
2016
Veranstaltung: EPE 2016 ECCE Europe : 18th European Conference on Power Electronics and Applications , 5.-9.09.2016 , Karlsruhe.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Paper )
DOI: https://doi.org/10.1109/EPE.2016.7695409

Abstract

This paper analyzes the influence of the threshold voltage on the parallel connection of three phases of a high power SiC MOSFET module. The current mismatch and the resulting switching loss distribution between paralleled phases will be investigated. Two different gate-drive circuit concepts will be tested. The influence of the choice of the gate-resistor arrangement will be presented regarding the dynamic current distribution and switching losses.

Weitere Angaben

Publikationsform: Veranstaltungsbeitrag (Paper)
Begutachteter Beitrag: Ja
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran
Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien
Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > ZET - Zentrum für Energietechnik
Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik
Profilfelder
Profilfelder > Advanced Fields
Profilfelder > Emerging Fields
Forschungseinrichtungen
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 11 Nov 2016 06:27
Letzte Änderung: 09 Jan 2023 12:40
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/35109