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Intraband Dynamics at the Semiconductor Band Edge : Shortcomings of the Bloch Equation Method

Titelangaben

Axt, Vollrath Martin ; Bartels, G. ; Stahl, Arne:
Intraband Dynamics at the Semiconductor Band Edge : Shortcomings of the Bloch Equation Method.
In: Physical Review Letters. Bd. 76 (1996) Heft 14 . - S. 2543-2546.
ISSN 1079-7114
DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.76.2543

Abstract

The validity of the semiconductor Bloch equations (SBE) depends on the approximate decomposition of an intraband correlation function into a product of interband transition densities. We analyze the consequences of this approximation on the intraband dynamics of an optically excited semiconductor. As a special example where the SBE treatment becomes questionable we consider the THz emission of a narrow band superlattice in a static bias field. A comparison of the second order SBE solution with a rigorous second order treatment of this system helps one identify the weak points of the SBE approach and understand the physical background of its failure.

Weitere Angaben

Publikationsform: Artikel in einer Zeitschrift
Begutachteter Beitrag: Ja
Keywords: dynamics controlled truncation; semiconductor superlattices; intra-band dynamics;
non-linear optics; ultrafast dynamics; excitons; terahertz emission
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Mathematik, Physik und Informatik > Physikalisches Institut
Fakultäten > Fakultät für Mathematik, Physik und Informatik > Physikalisches Institut > Lehrstuhl Theoretische Physik III > Lehrstuhl Theoretische Physik III - Univ.-Prof. Dr. Martin Axt
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Titel an der UBT entstanden: Nein
Themengebiete aus DDC: 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Eingestellt am: 16 Okt 2017 10:14
Letzte Änderung: 07 Mär 2022 13:54
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/40013