Titelangaben
Axt, Vollrath Martin ; Bartels, G. ; Stahl, Arne:
Intraband Dynamics at the Semiconductor Band Edge : Shortcomings of the Bloch Equation Method.
In: Physical Review Letters.
Bd. 76
(1996)
Heft 14
.
- S. 2543-2546.
ISSN 1079-7114
DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.76.2543
Abstract
The validity of the semiconductor Bloch equations (SBE) depends on the approximate decomposition of an intraband correlation function into a product of interband transition densities. We analyze the consequences of this approximation on the intraband dynamics of an optically excited semiconductor. As a special example where the SBE treatment becomes questionable we consider the THz emission of a narrow band superlattice in a static bias field. A comparison of the second order SBE solution with a rigorous second order treatment of this system helps one identify the weak points of the SBE approach and understand the physical background of its failure.
Weitere Angaben
Publikationsform: | Artikel in einer Zeitschrift |
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Begutachteter Beitrag: | Ja |
Keywords: | dynamics controlled truncation; semiconductor superlattices; intra-band dynamics;
non-linear optics; ultrafast dynamics; excitons; terahertz emission |
Institutionen der Universität: | Fakultäten > Fakultät für Mathematik, Physik und Informatik > Physikalisches Institut Fakultäten > Fakultät für Mathematik, Physik und Informatik > Physikalisches Institut > Lehrstuhl Theoretische Physik III > Lehrstuhl Theoretische Physik III - Univ.-Prof. Dr. Martin Axt Fakultäten Fakultäten > Fakultät für Mathematik, Physik und Informatik Fakultäten > Fakultät für Mathematik, Physik und Informatik > Physikalisches Institut > Lehrstuhl Theoretische Physik III |
Titel an der UBT entstanden: | Nein |
Themengebiete aus DDC: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
Eingestellt am: | 16 Okt 2017 10:14 |
Letzte Änderung: | 07 Mär 2022 13:54 |
URI: | https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/40013 |