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Hofstetter, Patrick ; Bakran, Mark-M.:
Comparison of the Surge Current Ruggedness between the Body
Diode of SiC MOSFETs and Si Diodes for IGBT.
2018
Veranstaltung: CIPS 2018
, 20.03.-22.03.2018
, Stuttgart.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung
,
Paper
)
Abstract
The aim of this paper is to derive a statement, whether body diodes of future SiC MOSFETs will achieve similar I2t values
as freewheeling diodes currently used in IGBT modules. In the first part, a short experimental study will be shown, where two 1200V SiC MOSFETs of different manufacturers are surge current tested under different conditions, like different surge current durations, temperatures, Vgs voltages and multiple stresses. The second part deals with the scaling of the measurements to the surge current capability of typical IGBT modules for traction converters.
Weitere Angaben
| Publikationsform: | Veranstaltungsbeitrag (Paper) |
|---|---|
| Begutachteter Beitrag: | Ja |
| Institutionen der Universität: | Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > ZET - Zentrum für Energietechnik Fakultäten Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik Profilfelder Profilfelder > Advanced Fields Profilfelder > Emerging Fields Forschungseinrichtungen Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen |
| Titel an der UBT entstanden: | Ja |
| Themengebiete aus DDC: | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften |
| Eingestellt am: | 13 Nov 2018 08:19 |
| Letzte Änderung: | 13 Nov 2018 08:19 |
| URI: | https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/46295 |