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Hofstetter, Patrick ; Hain, Stefan ; Bakran, Mark-M.:
Applying the 2D-Short Circuit Detection Method to SiC MOSFETs including an advanced Soft Turn Off.
2018
Veranstaltung: PCIM Europe 2018
, 05.06.-07.06.2018
, Nürnberg, Deutschland.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung
,
Paper
)
Abstract
To address the problem of small short circuit withstand
times of SiC MOSFETs, this paper presents a
short circuit protection, which detects the fault close
to the earliest time possible and turns off the device
safely. For the detection, the 2D-short circuit detection
method [1, 2] was adapted to SiC MOSFETs.
As SiC MOSFETs have to be turned off softly, a
turn-off strategy is shown which is able to turn the
device off during a short circuit type 1 and a short
circuit type 2 in an optimized way.
Weitere Angaben
| Publikationsform: | Veranstaltungsbeitrag (Paper) |
|---|---|
| Begutachteter Beitrag: | Ja |
| Institutionen der Universität: | Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > ZET - Zentrum für Energietechnik Fakultäten Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik Profilfelder Profilfelder > Advanced Fields Profilfelder > Emerging Fields Forschungseinrichtungen Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen |
| Titel an der UBT entstanden: | Ja |
| Themengebiete aus DDC: | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften |
| Eingestellt am: | 13 Nov 2018 09:58 |
| Letzte Änderung: | 09 Jan 2023 12:21 |
| URI: | https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/46307 |