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März, Andreas ; Bertelshofer, Teresa ; Bakran, Mark-M.:
High dynamic stress on SiC trench MOSFET body diodes and their behaviour.
2018
Veranstaltung: PCIM Europe 2018
, 05.06.-07.06.2018
, Nürnberg.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung
,
Paper
)
Abstract
In this paper state-of-the-art SiC trench MOSFET’s
body diodes are investigated under high dynamic
stress during reverse-recovery and in parallel configuration
of a power module. Measurements on
SiC MOSFET body diodes under high dynamic
stress show the effect of a clamping of the drainsource-
voltage together with a generation of additional
charge carriers at turn-off. This paper
analyses the cause of this effect and its dependence
on switching speed and commutation
inductance.
Weitere Angaben
| Publikationsform: | Veranstaltungsbeitrag (Paper) |
|---|---|
| Begutachteter Beitrag: | Ja |
| Institutionen der Universität: | Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > ZET - Zentrum für Energietechnik Fakultäten Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik Profilfelder Profilfelder > Advanced Fields Profilfelder > Emerging Fields Forschungseinrichtungen Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen |
| Titel an der UBT entstanden: | Ja |
| Themengebiete aus DDC: | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften |
| Eingestellt am: | 14 Nov 2018 08:07 |
| Letzte Änderung: | 09 Jan 2023 12:46 |
| URI: | https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/46311 |