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High dynamic stress on SiC trench MOSFET body diodes and their behaviour

Titelangaben

März, Andreas ; Bertelshofer, Teresa ; Bakran, Mark-M.:
High dynamic stress on SiC trench MOSFET body diodes and their behaviour.
2018
Veranstaltung: PCIM Europe 2018 , 05.06.-07.06.2018 , Nürnberg.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Paper )

Abstract

In this paper state-of-the-art SiC trench MOSFET’s
body diodes are investigated under high dynamic
stress during reverse-recovery and in parallel configuration
of a power module. Measurements on
SiC MOSFET body diodes under high dynamic
stress show the effect of a clamping of the drainsource-
voltage together with a generation of additional
charge carriers at turn-off. This paper
analyses the cause of this effect and its dependence
on switching speed and commutation
inductance.

Weitere Angaben

Publikationsform: Veranstaltungsbeitrag (Paper)
Begutachteter Beitrag: Ja
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran
Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien
Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > ZET - Zentrum für Energietechnik
Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik
Profilfelder
Profilfelder > Advanced Fields
Profilfelder > Emerging Fields
Forschungseinrichtungen
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 14 Nov 2018 08:07
Letzte Änderung: 14 Nov 2018 08:07
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/46311