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Bertelshofer, Teresa ; März, Andreas ; Bakran, Mark-M.:
Modelling parallel SiC MOSFETs : thermal selfstabilisation vs. switching imbalances.
In: IET Power Electronics.
Bd. 12
(2019)
Heft 5
.
- S. 1071-1078.
ISSN 1755-4535
DOI: https://doi.org/10.1049/iet-pel.2018.5418
Abstract
This article presents a numerical method in combination with a device simulation model used to analyse the parallel
connection of several silicon carbide (SiC) metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) dies. Parallel connection is necessary to achieve the desired current carrying capability of the main inverters for xEV-drives. With this method, the effect of asymmetries within the chips’ parameters, especially the gate threshold voltage, is investigated. The investigation results quantify to what extent the positive temperature coefficient of the on-state resistance can mitigate the overheating of one chip
caused by switching loss imbalance. The results are used to define the necessary derating of the inverter output power so that no single chip is thermally overstressed.
Weitere Angaben
| Publikationsform: | Artikel in einer Zeitschrift |
|---|---|
| Begutachteter Beitrag: | Ja |
| Institutionen der Universität: | Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > ZET - Zentrum für Energietechnik Fakultäten Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik Profilfelder Profilfelder > Advanced Fields Profilfelder > Emerging Fields Forschungseinrichtungen Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen |
| Titel an der UBT entstanden: | Ja |
| Themengebiete aus DDC: | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften |
| Eingestellt am: | 13 Jun 2019 07:14 |
| Letzte Änderung: | 09 Jan 2023 12:48 |
| URI: | https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/49483 |