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Kestler, Tobias ; Bakran, Mark-M.:
Expansion of the Junction Temperature Measurement via the Internal Gate Resistance to a wide range of Power Semiconductors.
2019
Veranstaltung: 21th European Conference on Power Electronics and Applications
, 02.09.-06.09.2019
, Genua.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung
,
Paper
)
Abstract
The temperature dependent internal gate resistance Rgi of MOS devices is suitable for online Tj acquisition in operating application circuits. Recent publications have shown various measurement approaches and tested them for specific DUTs. In this work the issues arising when applying the Rgi-method to DUTs with a low Rgi and to SiC MOSFETs are described. If a device exhibits a low Rgi the measurement error due to parasitic resistance becomes relevant. For SiC MOSFETs frequency dependent effects, which can presumably be attributed to charge trapping at the gate oxide, have a significant influence on the measured data.
Weitere Angaben
| Publikationsform: | Veranstaltungsbeitrag (Paper) |
|---|---|
| Begutachteter Beitrag: | Ja |
| Institutionen der Universität: | Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > ZET - Zentrum für Energietechnik Fakultäten Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik Profilfelder Profilfelder > Advanced Fields Profilfelder > Emerging Fields Forschungseinrichtungen Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen |
| Titel an der UBT entstanden: | Ja |
| Themengebiete aus DDC: | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften |
| Eingestellt am: | 30 Sep 2019 09:54 |
| Letzte Änderung: | 30 Sep 2019 09:54 |
| URI: | https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/52497 |