bei Google ScholarTitelangaben
Hohmann, Fabian ; Bakran, Mark-M.:
Applying a 3300V SiC Half-bridge to an MMC Based HVDC System.
2019
Veranstaltung: 21th European Conference on Power Electronics and Applications, Genua
, 02.09.-06.09.2019
, Genua.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung
,
Paper
)
Abstract
A 3.3 kV silicon carbide (SiC) MOSFET is analyzed for the use in a modular multilevel converter (MMC). A laboratory-setup of a submodule is built to characterize the switching behavior. The total losses are calculated for the MMC operation. A comparison to a silicon (Si) based IGBT model is made based on losses and the necessary semiconductor area.
Weitere Angaben
| Publikationsform: | Veranstaltungsbeitrag (Paper) |
|---|---|
| Begutachteter Beitrag: | Ja |
| Institutionen der Universität: | Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > ZET - Zentrum für Energietechnik Fakultäten Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik Profilfelder Profilfelder > Advanced Fields Profilfelder > Emerging Fields Forschungseinrichtungen Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen |
| Titel an der UBT entstanden: | Ja |
| Themengebiete aus DDC: | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften |
| Eingestellt am: | 17 Okt 2019 09:00 |
| Letzte Änderung: | 17 Okt 2019 09:00 |
| URI: | https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/52778 |