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Hofstetter, Patrick ; Bakran, Mark-M.:
Predicting Failure of SiC MOSFETs under Short Circuit and Surge Current Conditions with a single Thermal Model.
2018
Veranstaltung: EPE 2018 : 20th European Conference on Power Electronics and Applications
, 17.09.-21.09.2018
, Riga, Lettland.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung
,
Paper
)
Abstract
In this paper a thermal model will be presented which can be used to predict the failure of SiC MOSFETs under different error conditions. It is capable of simulating a large time range to cover short circuit failures of a few microseconds and surge currents of multiple milliseconds.
Weitere Angaben
| Publikationsform: | Veranstaltungsbeitrag (Paper) |
|---|---|
| Begutachteter Beitrag: | Ja |
| Institutionen der Universität: | Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > Zentrum für Energietechnik - ZET Fakultäten Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik Profilfelder Profilfelder > Advanced Fields Profilfelder > Emerging Fields Forschungseinrichtungen Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen |
| Titel an der UBT entstanden: | Ja |
| Themengebiete aus DDC: | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften |
| Eingestellt am: | 11 Feb 2020 07:54 |
| Letzte Änderung: | 10 Jul 2024 08:24 |
| URI: | https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/54319 |