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Bergmann, Lukas ; Wahle, Marcus ; Bakran, Mark-M.:
Challenges of paralleling 3.3 kV SiC MOSFET modules in HVDC converter submodules.
2022
Veranstaltung: PCIM Europe 2022
, 10.05.-12.05.2022
, Nürnberg.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung
,
Paper
)
Abstract
This work presents the challenges of paralleling 3300 V Silicon carbide MOSFET power modules. Based on a static device characterization, the static current derating depending on conduction variation and parallel number of modules is calculated. Furthermore, an investigation on dynamic imbalance of switching losses due to device parameter variation is realized based on a parametrized simulation model. Finally, a comparison of three different approaches of external module gate loop designs is presented to find the best solution.
Weitere Angaben
| Publikationsform: | Veranstaltungsbeitrag (Paper) |
|---|---|
| Begutachteter Beitrag: | Ja |
| Institutionen der Universität: | Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > ZET - Zentrum für Energietechnik Fakultäten Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik Profilfelder Profilfelder > Advanced Fields Profilfelder > Emerging Fields Forschungseinrichtungen Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen |
| Titel an der UBT entstanden: | Ja |
| Themengebiete aus DDC: | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften |
| Eingestellt am: | 29 Jul 2022 06:51 |
| Letzte Änderung: | 29 Jul 2022 06:54 |
| URI: | https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/71261 |