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SiC-MOSFET-Schalten mit niedriger EMI und geringen Verlusten durch Gate-Ansteuerung bei Solaranwendung

Titelangaben

Backmann, Tobias:
SiC-MOSFET-Schalten mit niedriger EMI und geringen Verlusten durch Gate-Ansteuerung bei Solaranwendung.
Bayreuth , 2022
( Bachelorarbeit, 2022 , Universität Bayreuth, Lehrstuhl für Mechatronik)

Weitere Angaben

Publikationsform: Bachelorarbeit
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran
Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien
Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > ZET - Zentrum für Energietechnik
Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik
Profilfelder
Profilfelder > Advanced Fields
Profilfelder > Emerging Fields
Forschungseinrichtungen
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 08 Nov 2022 08:39
Letzte Änderung: 08 Nov 2022 08:39
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/72709