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Häring, Johannes ; Hepp, Maximilian ; Wondrak, Wolfgang ; Bakran, Mark-M.:
Switching Behaviour of a SiC-MOSFET 3-Level ANPC Inverter with Different Modulation Schemes.
2023
Veranstaltung: PCIM Europe 2023
, 09.05.-11.05.2023
, Nürnberg.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung
,
Vortrag mit Paper
)
Abstract
Wide band-gap devices are about to capture the power semiconductor market for electric vehicle applications
since efficiency and power density are becoming more and more important. To gain highest
efficiency in traction inverters, wide band-gap semiconductors can be used in 3-level structures. This
paper deals with the switching behaviour of SiC-MOSFETs in an ANPC inverter with different modulation
schemes by discussing switching processes of a scaled down experimental setup during operation. It
shows the influence of secondary effects depending on the modulation scheme like additional parasitic
turn-on losses, stray inductance in different commutation paths and the consequent loss distribution.
Weitere Angaben
| Publikationsform: | Veranstaltungsbeitrag (Vortrag mit Paper) |
|---|---|
| Begutachteter Beitrag: | Ja |
| Institutionen der Universität: | Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > Zentrum für Energietechnik - ZET |
| Titel an der UBT entstanden: | Ja |
| Themengebiete aus DDC: | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften |
| Eingestellt am: | 21 Jul 2023 07:27 |
| Letzte Änderung: | 21 Jul 2023 07:27 |
| URI: | https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/86230 |