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A Comparison of GaN HEMT and SiC MOSFET Power Inverter Modules for Electric Vehicles (EV)

Titelangaben

Nehmer, Dominik ; Hepp, Maximilian ; Wondrak, Wolfgang ; Bakran, Mark-M.:
A Comparison of GaN HEMT and SiC MOSFET Power Inverter Modules for Electric Vehicles (EV).
2023
Veranstaltung: PCIM Europe 2023 , 09.05.-11.05.2023 , Nürnberg.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Paper )

Abstract

In this paper, two GaN HEMTs and a SiC MOSFET device are compared in a virtual power module for
inverters of electric vehicles (EV). Therefore scaled double pulse measurements are performed. The
thermal environment of the module is taken into account in the calculations. Finally, the maximum current
density, the required die areas, and the efficiency in the WLTP cycle are compared. GaN HEMTs reach
nearly the same efficiency in the WLTP cycle as the SiC MOSFET and hence will be a good alternative for
inverters in EV.

Weitere Angaben

Publikationsform: Veranstaltungsbeitrag (Paper)
Begutachteter Beitrag: Ja
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran
Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien
Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > Zentrum für Energietechnik - ZET
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 21 Jul 2023 07:29
Letzte Änderung: 21 Jul 2023 07:29
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/86231