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Impact of Operating a SiC-MOSFETs Body Diode Beyond its SOA

Titelangaben

Rauh, Michael ; März, Andreas ; Schönewolf, Stefan ; Bakran, Mark-M.:
Impact of Operating a SiC-MOSFETs Body Diode Beyond its SOA.
2023
Veranstaltung: PCIM Europe 2023 , 09.05.-11.05.2023 , Nürnberg.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Vortrag mit Paper )

Abstract

To lower the switching-losses of SiC-Power-MOSFETs in a half-bridge setup, the switching speed can
be maximized by using dead-time-optimization. Due to a short dead-time, the reverse recovery current
after the interlock period between both switches is minimized, and therefore, the overvoltage during the
diode turn-off is lowered. However, if the driver fails to meet the required dead-time, the overvoltage
across the diode increases. In the worst case, the body diode will be operated under avalanche conditions
due to high switching stress. This paper investigates the influence of repetitive avalanche stress on a
SiC-Power-MOSFET’s body diode concerning possible degradation of the semiconductor.

Weitere Angaben

Publikationsform: Veranstaltungsbeitrag (Vortrag mit Paper)
Begutachteter Beitrag: Ja
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran
Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien
Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > Zentrum für Energietechnik - ZET
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 21 Jul 2023 07:32
Letzte Änderung: 21 Jul 2023 07:32
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/86232