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Optimised switching of a SiC MOSFET in a VSI using the body diode and additional Schottky barrier diode

Titelangaben

Horff, Roman ; März, Andreas ; Lechler, M. ; Bakran, Mark-M.:
Optimised switching of a SiC MOSFET in a VSI using the body diode and additional Schottky barrier diode.
2015
Veranstaltung: EPE'15 ECCE Europe 17th European Conference on Power Electronics and Applications , 08.-10.09.2015 , Genf, Schweiz.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Paper )

Abstract

In this paper the switching behaviour of SiC MOSFETs is regarded with respect to the influence of the free-wheeling diode. A double pulse test was performed using two silicon carbide Schottky barrier diodes (SBD) of different rated currents and the intrinsic body diode of a silicon carbide MOSFET. The switching losses of these three combinations are analysed to find the best combination of MOSFET and antiparallel diode for the application in a voltage source inverter (VSI). The body diode was found to dissipate not negligible switching losses. The effect of a silicon carbide Schottky barrier diode in high current SiC power modules is shown. Calculating the power capability, it is shown that the MOSFET inverter without SBD has the higher power density.

Weitere Angaben

Publikationsform: Veranstaltungsbeitrag (Paper)
Begutachteter Beitrag: Ja
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran
Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien
Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie
Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik
Profilfelder
Profilfelder > Advanced Fields
Profilfelder > Emerging Fields
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 16 Dec 2015 08:23
Letzte Änderung: 27 Jun 2024 12:50
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/28978