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Failure Characteristics of Discrete Power Semiconductor Packages Exceeding Electrical Specifications

Titelangaben

Gleißner, Michael ; Bakran, Mark-M.:
Failure Characteristics of Discrete Power Semiconductor Packages Exceeding Electrical Specifications.
In: EPE'14 ECCE Europe. - Lappeenranta : IEEE , 2014
ISBN 978-1-4799-3014-2

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Abstract

The failure characteristics of power semiconductors determine necessary protection elements and fault-tolerance of the total system. To obtain information on failure characteristics, several low voltage power MOSFETs with different packages, manufacturers and voltage ratings are deliberately destroyed by exceeding the electrical parameters gate- and drain-source voltage. Furthermore, the stability of MOSFETs during a capacitor discharging depending on the amount of stored energy is investigated, which is necessary for successful level reduction in multilevel converters. The research focuses on the device behaviour after failure depending on the package technology to give a design hint for fault-tolerant applications.

Weitere Angaben

Publikationsform: Aufsatz in einem Buch
Begutachteter Beitrag: Ja
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran
Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik
Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie
Profilfelder
Profilfelder > Emerging Fields
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 18 Nov 2014 08:33
Letzte Änderung: 20 Dec 2023 08:30
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/3338