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Bulk Silicon Crystals with the High Boron Content, Si₁₋ₓBₓ : Two Semiconductors Form an Unusual Metal

Titelangaben

Ovsyannikov, Sergey V. ; Gou, Huiyang ; Karkin, Alexander E. ; Shchennikov, Vladimir V. ; Wirth, Richard ; Dmitriev, Vladimir ; Nakajima, Yoichi ; Dubrovinskaia, Natalia ; Dubrovinsky, Leonid:
Bulk Silicon Crystals with the High Boron Content, Si₁₋ₓBₓ : Two Semiconductors Form an Unusual Metal.
In: Chemistry of Materials. Bd. 26 (2014) Heft 18 . - S. 5274-5281.
ISSN 1520-5002
DOI: https://doi.org/10.1021/cm502083v

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Publikationsform: Artikel in einer Zeitschrift
Begutachteter Beitrag: Ja
Institutionen der Universität: Forschungseinrichtungen > Forschungszentren > Bayerisches Forschungsinstitut für Experimentelle Geochemie und Geophysik - BGI
Forschungseinrichtungen
Forschungseinrichtungen > Forschungszentren
Fakultäten > Fakultät für Mathematik, Physik und Informatik > Fachgruppe Materialwissenschaften > Professur Materialphysik und Technologie bei extremen Bedingungen > Professur Materialphysik und Technologie bei extremen Bedingungen - Univ.-Prof. Dr. Natalia Doubrovinckaia
Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Mathematik, Physik und Informatik
Fakultäten > Fakultät für Mathematik, Physik und Informatik > Fachgruppe Materialwissenschaften
Fakultäten > Fakultät für Mathematik, Physik und Informatik > Fachgruppe Materialwissenschaften > Professur Materialphysik und Technologie bei extremen Bedingungen
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 550 Geowissenschaften, Geologie
Eingestellt am: 19 Aug 2016 07:35
Letzte Änderung: 07 Dec 2022 11:37
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/34183