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März, Andreas ; Bertelshofer, Teresa ; Bakran, Mark-M.:
A novel gate drive concept to eliminate Parasitic Turn-on of SiC MOSFETs in low inductance power modules.
2017
Veranstaltung: PCIM Europe 2017
, 16.-18.05.2017
, Nürnberg, Deutschland.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung
,
Paper
)
Abstract
In this paper a new gate drive concept for low inductance SiC MOSFET power modules is presented. Experimental results show that the posed 3-level turn-off strategy will prevent parasitic turn-on (PTO) under fast switching operation. This will significantly reduce turn-on and reverse turn-off losses of SiC MOSFEts as well as reduce the overvoltage of the bodydiode at turn-off.
Weitere Angaben
| Publikationsform: | Veranstaltungsbeitrag (Paper) |
|---|---|
| Begutachteter Beitrag: | Ja |
| Institutionen der Universität: | Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik Fakultäten Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften |
| Titel an der UBT entstanden: | Ja |
| Themengebiete aus DDC: | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften |
| Eingestellt am: | 26 Sep 2017 06:18 |
| Letzte Änderung: | 09 Jan 2023 12:43 |
| URI: | https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/39747 |