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Axt, Vollrath Martin ; Stahl, Arne:
The role of the biexciton in a dynamic density matrix theory of the semiconductor band edge.
In: Zeitschrift für Physik B Condensed Matter.
Bd. 93
(1994)
Heft 2
.
- S. 205-211.
ISSN 1431-584X
DOI: https://doi.org/10.1007/BF01316964
Abstract
We describe the dielectric response of the semiconductor band edge in a dynamic density matrix model. Our treatment is based on a set of χ₃-relevant constitutive equations involving two-, four- and six-point density matrices. We demonstrate that under certain conditions all contributions to the third order susceptibility can be expressed in terms of excitonic and biexcitonic transitions. As a first application of these χ₃-relevant equations we investigate the influence of the biexciton on the optical Stark effect in CuCl. We calculate shifts and lineshapes. Our results turn out to be in excellent agreement with experiments as well as with other theoretical predictions.
Weitere Angaben
| Publikationsform: | Artikel in einer Zeitschrift |
|---|---|
| Begutachteter Beitrag: | Ja |
| Keywords: | Excitons; Biexcitons; density matrix dynamics; semiconductors; non-linear optics; ultrafast dynamics |
| Institutionen der Universität: | Fakultäten > Fakultät für Mathematik, Physik und Informatik > Physikalisches Institut Fakultäten > Fakultät für Mathematik, Physik und Informatik > Physikalisches Institut > Lehrstuhl Theoretische Physik III > Lehrstuhl Theoretische Physik III - Univ.-Prof. Dr. Martin Axt Fakultäten Fakultäten > Fakultät für Mathematik, Physik und Informatik Fakultäten > Fakultät für Mathematik, Physik und Informatik > Physikalisches Institut > Lehrstuhl Theoretische Physik III |
| Titel an der UBT entstanden: | Nein |
| Themengebiete aus DDC: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Eingestellt am: | 16 Okt 2017 07:38 |
| Letzte Änderung: | 07 Mär 2022 13:47 |
| URI: | https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/40006 |