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Untersuchung zur Steigerung der Leistungsdichte von einphasig galvanisch getrennten Resonanzkonvertern durch den Einsatz von SiC-MOSFETs

Title data

Deichsel, Maximilian:
Untersuchung zur Steigerung der Leistungsdichte von einphasig galvanisch getrennten Resonanzkonvertern durch den Einsatz von SiC-MOSFETs.
Bayreuth , 2018
(Master's, 2018 , Universität Bayreuth, Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Lehrstuhl für Mechatronik)

Further data

Item Type: Master's, Magister, Diploma, or Admission thesis (Master's)
Institutions of the University: Faculties > Faculty of Engineering Science > Chair Mechatronics > Chair Mechatronics - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran
Profile Fields > Advanced Fields > Advanced Materials
Profile Fields > Emerging Fields > Energy Research and Energy Technology
Research Institutions > Research Units > ZET - Zentrum für Energietechnik
Faculties
Faculties > Faculty of Engineering Science
Faculties > Faculty of Engineering Science > Chair Mechatronics
Profile Fields
Profile Fields > Advanced Fields
Profile Fields > Emerging Fields
Research Institutions
Research Institutions > Research Units
Result of work at the UBT: Yes
DDC Subjects: 600 Technology, medicine, applied sciences > 620 Engineering
Date Deposited: 06 Dec 2018 15:59
Last Modified: 06 Dec 2018 15:59
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/46553