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Predicting Failure of SiC MOSFETs under Short Circuit and Surge Current Conditions with a single Thermal Model

Titelangaben

Hofstetter, Patrick ; Bakran, Mark-M.:
Predicting Failure of SiC MOSFETs under Short Circuit and Surge Current Conditions with a single Thermal Model.
2018
Veranstaltung: EPE 2018 : 20th European Conference on Power Electronics and Applications , 17.09.-21.09.2018 , Riga, Lettland.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Paper )

Abstract

In this paper a thermal model will be presented which can be used to predict the failure of SiC MOSFETs under different error conditions. It is capable of simulating a large time range to cover short circuit failures of a few microseconds and surge currents of multiple milliseconds.

Weitere Angaben

Publikationsform: Veranstaltungsbeitrag (Paper)
Begutachteter Beitrag: Ja
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran
Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien
Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > Zentrum für Energietechnik - ZET
Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik
Profilfelder
Profilfelder > Advanced Fields
Profilfelder > Emerging Fields
Forschungseinrichtungen
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 11 Feb 2020 07:54
Letzte Änderung: 10 Jul 2024 08:24
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/54319