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Active Clamping als Abschaltstrategie beim SiC-MOSFET

Titelangaben

Schmälzle, Thomas Henry:
Active Clamping als Abschaltstrategie beim SiC-MOSFET.
Bayreuth , 2020
(Masterarbeit, 2020, Universität Bayreuth, Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Lehrstuhl Mechatronik)

Weitere Angaben

Publikationsform: Master-, Magister-, Diplom- oder Zulassungsarbeit (Masterarbeit)
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran
Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien
Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > ZET - Zentrum für Energietechnik
Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik
Profilfelder
Profilfelder > Advanced Fields
Profilfelder > Emerging Fields
Forschungseinrichtungen
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 12 Mai 2020 06:57
Letzte Änderung: 12 Mai 2020 06:57
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/55135