bei Google ScholarTitelangaben
Hüttner, Hannes:
Aufbau und Inbetriebnahme eines Versuchsstandes und Charakterisierung der Gate-Lebensdauer von SiC-MOSFETs.
Bayreuth
,
2026
(Masterarbeit,
2026, Universität Bayreuth, Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Lehrstuhl für Mechatronik)
Weitere Angaben
| Publikationsform: | Master-, Magister-, Diplom- oder Zulassungsarbeit (Masterarbeit) |
|---|---|
| Institutionen der Universität: | Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > Zentrum für Energietechnik - ZET |
| Titel an der UBT entstanden: | Ja |
| Themengebiete aus DDC: | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften |
| Eingestellt am: | 30 Jun 2026 05:52 |
| Letzte Änderung: | 30 Jun 2026 05:52 |
| URI: | https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/98916 |